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新聞ID號(hào): |
8137 |
無(wú)標(biāo)題圖片 |
資訊類型: |
解決方案 |
所屬類別: |
開(kāi)關(guān)電源; 元器件; 其他 |
關(guān) 鍵 字: |
電路 |
內(nèi)容描述: |
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發(fā)布時(shí)間: |
2006/9/12 10:44:26 |
更新時(shí)間: |
2006/9/12 10:44:26 |
審核情況: |
已審核開(kāi)通[2006/9/12 10:44:26] |
瀏覽次數(shù): |
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新聞來(lái)源: |
EDN China |
鏈 接: |
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責(zé)任編輯: |
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發(fā) 布 者: |
電源在線 |
圖片文件: |
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保存文件:200691210433861944.gif |
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路徑文件:/uploadfile/newspic/200691210433861944.gif |
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內(nèi) 容: |
如果使用圖1中的電路,那么您不用求助于電噪聲很大的DC/DC轉(zhuǎn)換器,也不必在降壓電阻器中浪費(fèi)功率,就能從電壓較高并經(jīng)整流的正弦電壓源獲得5VDC等很低的穩(wěn)定電壓。該應(yīng)用需要一個(gè)穩(wěn)定的5VDC源,但是變壓器向全波橋式整流器供應(yīng)18Vrms。在充電階段,兩個(gè)等值電解電容器C1和C2在通過(guò)正向偏置二極管D1和D2串聯(lián)時(shí),會(huì)接收充電電流。一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOSFET晶體管Q1,型號(hào)為 IRF9530,其柵極接收了由于齊納二極管D4的正向電壓降因而略微為正值的反向柵極偏置電壓,因此保持?jǐn)嚅_(kāi)。每個(gè)電容器均充到大約為整流電壓峰值的一半與D1和D2帶來(lái)的正向電壓降之間的差值。全波橋式整流器D5,即Graetz橋,產(chǎn)生了這些電壓降(參考文獻(xiàn)1)。
當(dāng)放電階段開(kāi)始時(shí),D1獲得反向偏置,而電容器C2則通過(guò)穩(wěn)壓器IC1帶來(lái)的負(fù)載放電。隨后,二極管D1的陽(yáng)極電壓繼續(xù)下降,Q1的柵極至源極電壓變?yōu)樨?fù),并且晶體管導(dǎo)通,使C1能通過(guò)正向偏置二極管D3向負(fù)載放電。事實(shí)上,兩個(gè)電容器串聯(lián)充電,并且向負(fù)載并聯(lián)放電,從而把IC1輸入端的原始整流電壓和紋波電壓降低了一半。在C1放電期間,齊納二極管D4把Q1的柵極至源極電壓箝位在其最高額定值范圍內(nèi),由此來(lái)保護(hù)Q1。
為了正常運(yùn)行,該電路需要最低負(fù)載電流,穩(wěn)壓器的靜態(tài)耗電電流通常夠用。另外,電容器C2一直充到來(lái)自D5的峰值電壓。C1和C2的值以及其余元件的額定值取決于要求的最高負(fù)載電流。電阻器R1和R2的值并不關(guān)鍵。請(qǐng)注意Q1充當(dāng)開(kāi)關(guān);選擇某種導(dǎo)通電阻很低的器件就能限制Q1的功率耗散。
作者:Luca Bruno, ITIS Hensemberger Monza, Lissone |
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