2021年雖然全球疫情蔓延，在原材料采購和物流方面都受到了影響，但是富士電機還是達成了年初的計劃。
富士電機一直致力于產(chǎn)品的技術(shù)革新以滿足電力電子裝置對于功率半導(dǎo)體模塊的小型化，低損耗及高可靠性應(yīng)用的需求。2021年富士電機推出了基于第七代IGBT模塊技術(shù)的新一代工業(yè)RC-IGBT（Reverse-ConductingIGBT)模塊產(chǎn)品系列。RC-IGBT將反向并聯(lián)連接的IGBT芯片和FWD芯片的功能集成到單個芯片上，工作時的等效散熱面積更大，可以大大降低結(jié)到殼熱阻。通過X系列芯片技術(shù)的低損耗和基于RC-IGBT的散熱性能的提高，逆變器的輸出功率密度得以進一步提升一個等級。
RC-IGBT
富士電機提供利用世界最先進技術(shù)的IGBT模塊，用于環(huán)保、節(jié)能和自動化領(lǐng)域。同時，特別專注于可以為碳中和做出貢獻的電動汽車、風力發(fā)電和太陽能發(fā)電領(lǐng)域，努力提升產(chǎn)品性能和質(zhì)量，以更好的服務(wù)客戶。此外，富士電機將在深圳地區(qū)擴建IGBT工廠，靈活應(yīng)對交貨期。
功率半導(dǎo)體作為電力能源的核心部件，富士電機的功率器件在火力發(fā)電向風電、太陽能等新能源發(fā)電轉(zhuǎn)型的過程中發(fā)揮了重要的作用。目前，富士電機提供第7代X系列和RC-IGBT，但未來還將開發(fā)第8代IGBT和SiC產(chǎn)品，并努力推進碳中和，以進一步提高性能。
富士電機早在2014年就推出了平面結(jié)構(gòu)的全碳化硅模塊應(yīng)用在本社電力電子部門研發(fā)的光伏逆變器（1MW)中。相比較于傳統(tǒng)的硅模塊，損耗可以降低7成左右，達到了當時的業(yè)界最高效率98.8%，獲得了市場的廣泛好評。2018年推出了基于第一代溝槽柵結(jié)構(gòu)的全碳化硅模塊。開發(fā)中的第二代SiC-Mosfet，通過芯片減薄和溝槽間距微細化技術(shù)T單位面積的導(dǎo)通電阻比第一代降低了23%。另外模塊內(nèi)部的端子結(jié)構(gòu)也進行了重新設(shè)計，大大降低了模塊的寄生電感。模塊的封裝外形將繼續(xù)保持與傳統(tǒng)的硅模塊的封裝兼容避免客戶在系統(tǒng)結(jié)構(gòu)上做重新設(shè)計，節(jié)省開發(fā)資源。預(yù)計將會在2023年進行量產(chǎn)，主要面向EV、風力發(fā)電、太陽能發(fā)電、高壓變頻器等各類高壓應(yīng)用。
SiC模塊
保護地球環(huán)境，防止全球變暖，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會（SDGs）已經(jīng)是全世界的共識。中國政府也在2020年底提出了“2030年前實現(xiàn)碳達峰，2060年之前實現(xiàn)碳中和”的宏偉目標。要實現(xiàn)這些目標，電力電子技術(shù)的技術(shù)革新和應(yīng)用領(lǐng)域的擴大是至關(guān)重要的。富士電機預(yù)計未來工業(yè)自動化領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)升級將會繼續(xù)深化進行，光伏和風力發(fā)電、電動汽車等新能源產(chǎn)業(yè)將會保持持續(xù)的高速增長。富士電機也將重點布局新能源領(lǐng)域，今后會進一步加大在中大容量模塊的投入。2022年，富士電機計劃在保持工業(yè)IGBT模塊的穩(wěn)定增長之外，還將加強電動汽車IGBT模塊的生產(chǎn)和銷售。