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IEGT：電子注入增強柵晶體管
IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過采取增強注入的結構實現了低通態電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發展前景，具有低損耗、高速動作、高耐壓、有源柵驅動智能化等特點，以及采用溝槽結構和多芯片并聯而自均流的特性，使其在進一步擴大電流容量方面頗具潛力。另外，通過模塊封裝方式還可提供眾多派生產品，在大、中容量變換器應用中被寄予厚望。
日本東芝開發的IECT利用了“電子注入增強效應”，使之兼有IGBT和GTO兩者的優點：低飽和壓降，寬安全工作區(吸收回路容量僅為GTO的1/10左右)，低柵極驅動功率(比GTO低兩個數量級)和較高的工作頻率，如圖3所示。器件采用平板壓接式電極引出結構，可靠性高，性能已經達到4.5KV/1500A的水平。 |
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