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IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片與反并聯二極管和門極驅動電路集成在一起，再與其門極驅動器在外圍以低電感方式連接，結合了晶體管的穩定關斷能力和晶閘管低通態損耗的優點，在導通階段發揮晶閘管的性能，關斷階段呈現晶體管的特性。IGCT具有電流大、電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低等特點，而且造成本低，成品率高，有很好的應用前景。
采用晶閘管技術的GTO是常用的大功率開關器件，它相對于采用晶體管技術的IGBT在截止電壓上有更高的性能，但廣泛應用的標準GTO驅動技術造成不均勻的開通和關斷過程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的門極驅動單元，因而造成可靠性下降，價格較高，也不利于串聯。但是，在大功率MCT技術尚未成熟以前，IGCT已經成為高壓大功率低頻交流器的優選方案。
在國外，瑞典的ABB公司已經推出比較成熟的高壓大容量IGCT產品。在國內，由于價格等因素，目前只有包括清華大學在內的少數幾家科研機構在自己開發的電力電子裝置中應用了IGCT。 |
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