ST推出一系列創(chuàng)新的絕緣柵雙極晶體管

    近日，意法半導體（ST）推出一系列創(chuàng)新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。

    開關性能的改進容許設計工程師把IGBT用于以硬開關拓撲和諧振電路為特點的高度競爭力產(chǎn)品。新產(chǎn)品關斷能耗降低，使用很小的緩沖電容器即可在低結溫下工作，帶來降低功耗、提高可靠性、縮小電路板空間等優(yōu)點。

    在芯片的單位面積性能方面，ST的新IGBT技術遠遠勝于傳統(tǒng)的MOSFET晶體管，有助于實現(xiàn)成本更加低廉的解決方案。新產(chǎn)品還有一個優(yōu)點：封裝內(nèi)含有一個超快速軟恢復二極管，保證新產(chǎn)品具有其它功率器件無法實現(xiàn)的高dV/dt抗擾性。新系列超高速IGBT的目標應用包括70W-150W高頻鎮(zhèn)流器以及開關電源、功率因數(shù)控制器和其它的高頻功率開關設備。 

    STGxL6NC60D系列產(chǎn)品共有四款產(chǎn)品，提供豐富的功率封裝選擇：TO-220、TO-220FP、DPAK和 D2PAK。