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電源應用分類
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測試儀器
電磁兼容
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其他
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內 容:
<P> Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布大幅擴展其氮化鎵(GaN)射頻(RF)功率器件產品組合,推出頻率最高可達20千兆赫(GHz)的新款單片微波集成電路(MMIC)和分立晶體管。這些器件同時具備高功率附加效率(PAE)和高線性度,為5G、電子戰、衛星通信、商業和國防雷達系統及測試設備等應用提供了新的性能水平。</P> <P> 與所有Microchip的GaN射頻功率產品一樣,新器件采用碳化硅基氮化鎵技術制造,提供了高功率密度和產量的最佳組合,可在高壓下運行,255℃結溫下使用壽命超過100萬小時。</P> <P> 這些產品包括覆蓋2至18 GHz、12至20 GHz、3 dB壓縮點(P3dB)射頻輸出功率高達20W、效率高達25%的12至20 GHz的氮化鎵MMIC;用于S和X波段、PAE高達60%的裸片和封裝氮化鎵MMIC放大器,以及覆蓋直流至14 GHz、P3dB射頻輸出功率高達100W,最大效率為70%的分立高電子遷移率晶體管(HEMT)器件。</P> <P> Microchip分立產品業務部副總裁Leon Gross表示:“Microchip持續投入打造GaN射頻產品系列,以支持從微波到毫米波長所有頻率的各種應用。我們的產品組合包括從低功率水平到2.2千瓦的50多種器件。今天宣布推出的產品跨越了2至20 GHz,旨在解決5G和其他無線網絡采用的高階調制技術帶來的線性度和效率挑戰,以及滿足衛星通信和國防應用的獨特需求。”</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20211215163411133.jpg"></P> <P> 除GaN器件外,Microchip的射頻半導體產品組合包括砷化鎵(GaAs)射頻放大器和模塊、低噪聲放大器、前端模塊(RFFE)、變容二極管、肖特基和PIN二極管、射頻開關和電壓可變衰減器。此外,公司還提供高性能表面聲波(SAW)傳感器和微機電系統(MEMS)振蕩器以及高度集成的模塊。這些模塊將單片機(MCU)與射頻收發器(Wi-Fi®MCU)相結合,支持從藍牙®和Wi-Fi到LoRa®的主要短程無線通信協議。</P> <P> 開發工具</P> <P> Microchip及其分銷合作伙伴均提供電路板設計支持,幫助客戶進行設計。此外,公司還為該款全新GaN產品提供緊湊型模型,讓客戶能夠更容易建立性能模型,加快系統中功率放大器的設計。</P> <P> 供貨</P> <P> 今日發布的器件(包括ICP0349和ICP0349PP7)以及其他Microchip射頻產品均已投入量產。如需了解更多信息,請聯系Microchip銷售代表或訪問Microchip網站。如需購買Microchip GaN產品,請聯系Microchip授權分銷商。</P>