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目前，我國IGBT技術(shù)取得了一定突破，應(yīng)用需求巨大。IGBT芯片技術(shù)方面，中國南車建成全球第二條、國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產(chǎn)線，去年成功實(shí)現(xiàn)首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術(shù)方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由國外公司提供
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內(nèi) 容：
<P> 全國人大代表、湖南省經(jīng)濟(jì)和信息化委員會主任謝超英表示，IGBT應(yīng)用需求巨大，目前，我國IGBT消費(fèi)市場規(guī)模約80億元，到2020年可能達(dá)到300億元的規(guī)模。 </P> <P> 目前，我國<A href="http://x5a5.com/news/56023.htm"><STRONG>IGBT</STRONG></A>技術(shù)取得了一定突破，應(yīng)用需求巨大。IGBT芯片技術(shù)方面，中國南車建成全球第二條、國內(nèi)首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產(chǎn)線，去年成功實(shí)現(xiàn)首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術(shù)方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由國外公司提供，國產(chǎn)IGBT芯片年產(chǎn)值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導(dǎo)體消費(fèi)市場，市場潛力巨大。 </P> <P> 在謝超英看來，我國IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展制約因素較多，亟待突破。一是沒有形成創(chuàng)新體系，二是缺乏完整的生產(chǎn)線，三是配套產(chǎn)業(yè)薄弱，關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化已成為我國IGBT產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的一大制約因素。 </P> <P> <STRONG>出臺扶持政策加快產(chǎn)業(yè)化 </STRONG></P> <P> IGBT作為電能變換的關(guān)鍵部件，是現(xiàn)代科學(xué)、工業(yè)和國防的重要核心技術(shù)。為盡快改變我國功率半導(dǎo)體芯片基本依賴進(jìn)口的局面，謝超英建議國家出臺扶持政策，依托國內(nèi)優(yōu)勢企業(yè)，通過示范和引導(dǎo)，大力推進(jìn)我國IGBT產(chǎn)業(yè)化并形成規(guī)模優(yōu)勢。 </P> <P> 一是設(shè)立國家重大科技專項(xiàng)支持IGBT技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。建議設(shè)置功率半導(dǎo)體重大專項(xiàng)，支持IGBT等功率器件技術(shù)升級與產(chǎn)業(yè)拓展。探索IGBT研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的“后補(bǔ)助”政策，通過“事前申報(bào)、事后認(rèn)定”的方式給予IGBT科技創(chuàng)新主體經(jīng)費(fèi)補(bǔ)助，推進(jìn)IGBT技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，加速科技成果產(chǎn)業(yè)化。<SPAN style="FONT-FAMILY: Webdings"><</SPAN></P>