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半導體市調機構Strategic Marketing Associates(SMA)最新報告提出警告,2005年上半全球逾20座新建晶圓廠展開裝機操作,未來陸續經過試產、驗證、導入量產階段后,恐導致2006年全球半導體產能過剩危機,其中尤以DRAM產業最為嚴重。<BR><BR> SMA總裁George Burns指出,自2003年下半年全球半導體景氣確定回暖后,半導體廠商陸續提高資本支出,展開新一波興建晶圓廠風潮,不僅帶動2004年全球半導體設備市場高度增長,以興建速度而言,目前這些新建晶圓廠均紛紛進入裝機階段,例如超微(AMD)德勒斯登12寸廠Fab 36、中芯北京12寸廠Fab 4、特許(Chartered)最新12寸廠Fab 7等。<BR><BR> Burns表示,由于這些新建晶圓廠陸續將在2005年下半到2006年上半進入量產階段,產能過剩危機浮現,恐怕會讓部份廠商難以支撐,尤其是以市況變化迅速的DRAM廠商,來得最為嚴重。<BR><BR> Burns指出,韓廠三星(Samsung)持續在景氣低迷之際,斥資投入12寸廠建設,以先進制程導入內存生產,包括DRAM與閃存(Flash)等,均占有極高的成本優勢,三星若實施降價策略,其動見觀瞻均會影響全球市場甚鉅。<BR><BR> 此外,亞太地區可說是DRAM產業大本營,也是晶圓代工產能重鎮,光是2005年亞太地區半導體廠商資本支出,便占全球一半,臺灣地區與韓國新一波DRAM產能即將陸續開出,盡管理論上廠商可延后投產進程,但實際上,搶得先機也是半導體產業成功之道,只要終端市場需求遲遲未現,產能過剩危機便無法解除。<BR><BR> 不過,臺灣地區多數DRAM晶圓廠對于這樣的說法提出質疑,認為就算2006年DRAM產業景氣無法像2004年那樣好,但也不至于太差,因為到2006年多數DRAM廠將開始采用90納米制程,但到目前為止,除三星在90納米制程良率比佳外,多數DRAM廠在90納米良率上仍處于摸索期,這將使得DRAM總產出量因轉換至90納米制程而減少許多。<BR><BR> 此外,自2005年下半起陸續有8寸廠因產出成本效益不如12寸廠,被迫退出量產標準型DRAM,而到2006年更是8寸廠大撤退的時間點,如此一來這些8寸廠因無法量產512Mb DDRII而需退出所造成的總產能喪失,將使得2006年DRAM產業應不會過于悲觀。<BR><BR> 至于晶圓代工方面,盡管2005年上半景氣欠佳,除臺積電外,其他晶圓代工廠商全數虧損,然因看好2010年前全球晶圓代工產值增長率,可望高于整體半導體產值增長率,計劃投入晶圓代工市場的廠商家數有增無減。<BR><BR> 不過,包括臺積電及聯電均對于2006年景氣持樂觀看法,強調應比2005年來得好,對于2006年景氣看法明顯不悲觀。此外,瑞薩科技社長兼CEO伊藤達12日則表示,目前半導體景氣尚處于調整階段,市況仍相當嚴峻,雖然夏季前可能會觸底反彈,然反彈速度緩慢。<BR>