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* 內容：	“power semiconductor device”和“power integrated circuit(簡寫為power IC或PIC)”直譯就是功率半導體器件和功率集成電路。<BR><BR>　　從上世紀六七十年代至八十年代初，功率半導體器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶體管(GTR)和其后的柵關斷晶閘管(GTO)等。它們的主要用途是用于高壓輸電，以及制造將電網的380V或220V交流電變為各種各樣直流電的中大型電源和控制電動機運行的電機調速裝置等，這些設備幾乎都是與電網相關的強電裝置。因此，當時我國把這些器件的總稱———power semiconductor devices沒有直譯為功率半導體器件，而是譯為電力電子器件，并將應用這些器件的電路技術power electronics沒有譯為功率電子學，而是譯為電力電子技術。<BR><BR>　　20世紀80年代以后，功率半導體行業發生了翻天覆地的變化。功率半導體器件變為以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。 <BR><BR>　　這一轉變的主要原因是，這些器件或集成電路能在比以前高10倍以上的頻率下工作，而電路在高頻工作時能更節能、節材，能大幅減少設備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(power system on a chip，簡寫PSOC)，它能把傳感器件與電路、信號處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個硅芯片上，使其具有按照負載要求精密調節輸出和按照過熱、過壓、過流等情況自我進行保護的智能功能，其優越性不言而喻。國際專家把它的發展喻為第二次電子學革命。