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* 內(nèi) 容：	“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導(dǎo)體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級(jí)的器件。<BR><BR>　　MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過(guò)G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。<BR><BR>　　功率MOSFET是一種多子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻特性好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)功率小、安全工作區(qū)寬、無(wú)二次擊穿問(wèn)題等顯著優(yōu)點(diǎn)。目前，功率MOSFET的指標(biāo)達(dá)到耐壓600V、電流70A、工作頻率100kHz的水平，在開(kāi)關(guān)電源、辦公設(shè)備、中小功率電機(jī)調(diào)速中得到廣泛的應(yīng)用，使功率變換裝置實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。<BR><BR>　　功率MOSFET與雙極型功率相比具有如下特點(diǎn)：<BR>　　1．MOSFET是電壓控制型器件(雙極型是電流控制型器件)，因此在驅(qū)動(dòng)大電流時(shí)無(wú)需推動(dòng)級(jí)，電路較簡(jiǎn)單；<BR>　　2．輸入阻抗高，可達(dá)108Ω以上；<BR>　　3．工作頻率范圍寬，開(kāi)關(guān)速度高(開(kāi)關(guān)時(shí)間為幾十納秒到幾百納秒)，開(kāi)關(guān)損耗小；<BR>　　4．有較優(yōu)良的線性區(qū)，并且MOSFET的輸入電容比雙極型的輸入電容小得多，所以它的交流輸入阻抗極高；噪聲也小，最合適制作Hi-Fi音響；<BR>　　5．功率MOSFET可以多個(gè)并聯(lián)使用，增加輸出電流而無(wú)需均流電阻。