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共有三個(gè)級(jí),一般為G、E、C,通過G、E間加控制信號(hào)時(shí)可以改變E、C間的導(dǎo)通和截止。IGBT為電壓型驅(qū)動(dòng)器件,具備MOSFET的高速開關(guān)特性和晶體管的低導(dǎo)通電阻。