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<P> 惠普公司今天宣布，其研發(fā)部門已經(jīng)證實(shí)了電路世界中的第四種基本元件：記憶電阻（Memristor）的存在。這項(xiàng)發(fā)現(xiàn)未來將有可能用來制造非易失性存儲(chǔ)設(shè)備，甚至可能改變整個(gè)電子科學(xué)的發(fā)展歷程。</P> <P> 電子學(xué)最基本的教科書都會(huì)給出這樣的說法，電路是由三大基本元件組成的：電容、電阻和電感。早在1971年，加州大學(xué)伯克利分校教授Leon Chua就已經(jīng)提出預(yù)測(cè)，將出現(xiàn)第四種基本元件：記憶電阻（Memristor即memory resistor的縮寫）。簡(jiǎn)單的說，這是一種有記憶功能的非線性電阻。我們可以通過施加控制電流的方式改變其阻值，如果把高阻值定義為“1”，低阻值定義為“0”，則這種電阻就可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的功能。 </P> <P> 這一預(yù)測(cè)提出已經(jīng)接近40年，但一直沒人能證實(shí)這一現(xiàn)象的存在。來自惠普實(shí)驗(yàn)室下屬信息和量子系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室的四位研究人員，在今年5月1日出版的最新一期《自然》雜志上撰文指出，他們已經(jīng)證實(shí)記憶電阻效應(yīng)在納米級(jí)的電子系統(tǒng)中是天然存在的。在這樣的系統(tǒng)中，固態(tài)電子和離子運(yùn)輸在一個(gè)外加偏置電壓下是耦合在一起的。這一發(fā)現(xiàn)可幫助解釋過去50年在電子裝置中所觀察到的明顯異常的回滯電流-電壓行為的很多例子。 </P> <P> 由R. Stanley Williams領(lǐng)導(dǎo)的研究人員表示，這一發(fā)現(xiàn)將有助于大大提高晶體管密度的極限。而記憶電阻最簡(jiǎn)單的應(yīng)用就是制造基于它的非易失性存儲(chǔ)器，替代目前的DRAM內(nèi)存，實(shí)現(xiàn)電腦的即時(shí)開機(jī)。未來則有可能加速云計(jì)算的發(fā)展，幫助實(shí)現(xiàn)仿人腦計(jì)算機(jī)等。</P>
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